Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение
Сангвал К.
М.: Мир, 1990. - 492 с., ил.
В книге специалиста из ПНР подробно рассматриваются такие вопросы, как химия, теория роста и растворения кристаллов, кристаллография, дефекты и их анализ, теория растворов и др. В частности, проанализированы механизмы зарождения с учетом поверхностной и объемной диффузии, электронного фактора, образование фигур травления и морфология бугорков и ямок. Приведены рекомендации по полирующему и селективному травлению различных материалов.
Для специалистов в области физики твердого тела, физической химии, кристаллографии, металлургии, материаловедения, электроники и в смежных областях, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
В книге специалиста из ПНР подробно рассматриваются такие вопросы, как химия, теория роста и растворения кристаллов, кристаллография, дефекты и их анализ, теория растворов и др. В частности, проанализированы механизмы зарождения с учетом поверхностной и объемной диффузии, электронного фактора, образование фигур травления и морфология бугорков и ямок. Приведены рекомендации по полирующему и селективному травлению различных материалов.
Для специалистов в области физики твердого тела, физической химии, кристаллографии, металлургии, материаловедения, электроники и в смежных областях, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
سب زمرہ:
زبان:
russian
ISBN 10:
0444870180
ISBN 13:
9780444870186
فائل:
PDF, 18.42 MB
IPFS:
,
russian0
Litres
اپنی کتاب کی دکان شامل کرنا چاہتے ہیں؟ ہم سے support@z-lib.do پر رابطہ کریں۔
فائل کنورٹر
مزید تلاش کے نتائج
دیگر فوائد 
