Электроника ультрабольших интегральных схем

Main
Technique - Experiments, Instruments & Measurements
Электроника ультрабольших интегральных...

Электроника ультрабольших интегральных схем

Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э.

0 / 0

آپ کو یہ کتاب کتنی پسند ہے؟

فائل کی کوالٹی کیا ہے؟

کوالٹی کا جائزہ لینے کے لیے کتاب ڈاؤن لوڈ کریں

فائل کی کوالٹی کیا ہے؟

سب زمرہ:

Technique - Experiments, Instruments & Measurements

سال:

1991

ناشر کتب:

Мир

زبان:

russian

صفحات:

329

ISBN 10:

5030020187

ISBN 13:

9785030020181

فائل:

DJVU, 4.39 MB

IPFS:

,

russian, 1991

آن لائن پڑھیں

میں تبدیلی جاری ہے۔

میں تبدیلی ناکام ہو گئی۔

آپ کو دلچسپی ہوسکتی ہے

Мурога С. — Системное проектирование сверхбольших интегральных схем

Константинова, О. В. (авт.) — Электроника

Агаханян Т. — Основы транзисторной электроники

Окснер Э. С., Перевод с английского И.Г.Ксендзацкого и Е.А.Коломбета. — Мощные полевые транзисторы и их применение

Бочаров Л.Н. — Полевые транзисторы

Кобболд Р. — Теория и применение полевых транзисторов

Окснер Э.С. — Мощные полевые транзисторы и их применение

Д.В.Игумнов, И.С.Громов. — Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

Бочаров Л.Н. — Полевые транзисторы

Троян П.Е. — Микроэлектроника

Митяшев Б.Н. — Электронные приборы

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Горшенков А.А. — Физические основы электроники: Активные электронные компоненты и компоненты оптоэлектроники

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника. Учебное пособие

Горошко Д.Л. Гудаков Г.А. — Электроника

Бладыко Ю.В., Жуковская Т.Е. — Электроника. Часть 1. Элементы электронной техники

Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д. — Проектирование интегральных микросхем

Троян П. Е. — Микроэлектроника

сост. : Г. К. Былкова, Е. В. Кузьмин, Я. И. Сенченко. — Электроника

Бладыко, Ю. В. — Электроника. Ч.1. Элементы электронной техники

Кроуфорд Р. — Схемные применения МОП-транзисторов

Кроуфорд Р. — Схемные применения МОП-транзисторов

Пожела Ю.К., Юцене В.Ю. — Физика сверхбыстродействующих транзисторов

Демидов Е.С. — Изучение параметров полевых транзисторов: Описание лабораторной работы

Антонов О.Г., Крестников Л.А. — Электроника. Ч.1: Письменные лекции

Медведев С.П., Печерская Р.М., Метальников А.М., Абрамов В.Б., Карпанин О.В. — Исследование униполярных структур. Методические указания по выполнению лабораторной работы

Агаханян Т.М. — Основы транзисторной электроники

Завражнов Ю.В. — Мощные высокочастотные транзисторы

Зебрев Г.И. — Физические основы кремниевой наноэлектроники : учебное пособие для вузов

Маллер Р., Кейминс Т. — Элементы интегральных схем

— Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

Росадо Л. — Физическая электроника и микроэлектроника

Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В. — Электронные приборы

Викулин И.М., Стафеев В.И. — Физика полупроводниковых приборов

Легостаев Н.С., Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Г.И. ЗЕБРЕВ — ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КРЕМНИЕВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

В.В. Беляков, В.С. Першенков, В.Н. Улимов, И.Н. Швецов-Шиловский — Физика микроэлектронных структур. Лабораторный практикум

اہم جملے

приборов

размерами

носителей

напряжения

транзисторы

транзистора

напряжение

эмиттера

направлении

соединений

примесей

выражение

размеров

легирующих

результате

элементов

транзисторов

представляет

структуры

потенциала

показано

получить

электронов

потенциал

обедненной

перехода

насыщения

значения

инжекции

легирования

приводит