微电子化学技术基础

1 (p0-1): 目录
1 (p0-2): 1 硅材料及硅化合物化学性质
1 (p0-3): 1.1 硅的化学性质
3 (p0-4): 1.2 硅化合物的化学性质
21 (p0-5): 1.3 超净高纯试剂
26 (p0-6): 1.4 半导体工业用化学品
30 (p0-7): 1.5 电子工业用光刻胶、涂料和黏合剂
38 (p0-8): 2.1 硅单晶的加工成形技术
38 (p0-9): 2 超大规模集成电路衬底加工
54 (p0-10): 2.2 超大规模集成电路硅衬底的抛光
65 (p0-11): 参考文献
67 (p0-12): 3 微电子技术中的环境净化
67 (p0-13): 3.1 厂房的洁净技术基础
75 (p0-14): 3.2 高纯气体制备机理
105 (p0-15): 3.3 超净高纯试剂纯化机理
109 (p0-16): 4 洗净工程中净化水的制备机理
109 (p0-17): 4.1 天然水中的杂质
112 (p0-18): 4.2 超纯水
116 (p0-19): 4.3 离子交换树脂
121 (p0-20): 4.4 电渗析法制备纯水的原理
125 (p0-21): 4.5 反渗透法制备纯水的原理
131 (p0-22): 4.6 反渗透膜的技术现状
135 (p0-23): 4.7 反渗透膜的污染与清洗
138 (p0-24): 4.8 反渗透膜生物污染与防治
148 (p0-25): 5 净洗技术工程
148 (p0-26): 5.1 概述
151 (p0-27): 5.2 晶片清洗的基本理论及方法
154 (p0-28): 5.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型
157 (p0-29): 5.4 表面活性剂
160 (p0-30): 5.5 硅片清洗的常用方法与技术
168 (p0-31): 5.6 清洗设备的结构
169 (p0-32): 5.7 溶液清洗技术的研究现状
172 (p0-33): 5.8 新型兆声清洗
173 (p0-34): 参考文献
175 (p0-35): 6 键合技术工程
175 (p0-36): 6.1 键合的基本原理及基本要求
176 (p0-37): 6.2 几种主要的键合方法
177 (p0-38): 6.3 键合晶片的表征测试方法
178 (p0-39): 6.4 键合技术在微电子学中的应用
189 (p0-40): 6.5 键合技术的应用
205 (p0-41): 参考文献
206 (p0-42): 7 微机械加工技术工程
209 (p0-43): 7.1 各向异性腐蚀
238 (p0-44): 7.2 各向同性腐蚀
245 (p0-45): 7.3 阳极腐蚀
250 (p0-46): 7.4 电钝化腐蚀
260 (p0-47): 7.5 表面微机械加工技术
269 (p0-48): 7.6 干法腐蚀
277 (p0-49): 7.7 LIGA技术工艺及推广
283 (p0-50): 参考文献
285 (p0-51): 8 微电子器件氧化技术工程
286 (p0-52): 8.1 二氧化硅的结构
287 (p0-53): 8.2 二氧化硅的性质
290 (p0-54): 8.3 二氧化硅膜的制备及其原理
307 (p0-55): 8.4 二氧化硅－硅界面的物理性质
308 (p0-56): 8.5 二氧化硅玻璃中的杂质
312 (p0-57): 8.6 杂质在二氧化硅中的扩散
316 (p0-58): 8.7 二氧化硅膜质量的检验
321 (p0-59): 9 蚀刻技术
321 (p0-60): 9.1 简介
321 (p0-61): 9.2 蚀刻技术中的术语
322 (p0-62): 9.3 湿式蚀刻
324 (p0-63): 9.4 干式蚀刻
329 (p0-64): 参考文献
330 (p0-65): 10 多层布线与全局平面化技术
331 (p0-66): 10.1 化学机械研磨在新一代大型集成电路中所扮演的角色
336 (p0-67): 10.2 超精密研磨技术与CMP之基础——CMP的定位与CMP研磨的机制
342 (p0-68): 10.3 CMP的要素技术
374 (p0-69): 10.4 CMP中测定与工程种类的关系
375 (p0-70): 10.5 CMP的未来
377 (p0-71): 参考文献
379 (p0-72): 11 电镀与化学镀
379 (p0-73): 11.1 电镀概述
387 (p0-74): 11.2 化学镀原理
391 (p0-75): 11.3 水溶性涂料
392 (p0-76): 参考文献
394 (p0-77): 附录 Ben shu zhu yao jie shao le chen di cai…